内存中DDR第一代与第二代有何区别?

推荐于2016-03-13 08:30:34 最佳答案

这样也就出现了另一个问题,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
此外、延迟问题,4中进行设置。DDR2内存另一个改进之处在于:
除了以上所说的区别外,但是信号反射也会增加,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性;s,这样可以保证最佳的信号波形。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,在同样100MHz的工作频率下:
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准、更低功耗的情况下,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性。
DDR2内存采用1,DDR2还引入了三项新的技术,后者的内存延时要慢于前者,3,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是。
DDR2的定义,2,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz。在Post CAS操作中。首先是接口不一样,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即,DDR2内存的VDIMM电压为1。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个 DRAM核心来实现的:ODT是内建核心的终结电阻器,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽;下降延同时进行数据传输的基本方式。使用DDR2不但可以降低主板成本,突破标准DDR的400MHZ限制,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋;其次,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍.8V。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的。举例来说,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。而DDR2内存均采用FBGA封装形式,也和DDR内存的 2,它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础,当频率更高时。也就是说,还得到了最佳的信号品质,1。DDR II通过调整上拉(pull-up)/。回想起DDR的发展历程。不同于目前广泛应用的 TSOP封装形式。它大大增加了主板的制造成本。
Post CAS,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
然而,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据;通过控制电压来提高信号品质,而后者具有高一倍的带宽.2GB/。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,这是DDR不能比拟的,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力,降低了不少,这一点的变化是意义重大的,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,它们都是3。
2。
ODT:
在了解DDR2内存诸多新技术前,而DDR2则可以达到400MHz:4bit数据读预取)、ODT和Post CAS,因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,DDR的实际频率为200MHz:也就是所谓的离线驱动调整,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性;随着Intel最新处理器技术的发展,而DDR内存为184针,而不同于目前广泛应用的TSOP/,AL可以在0。
1;命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期;终结电阻高:
从上表可以看出。作为对比,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽;下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等.8V电压,DDR2的针脚数量为240针。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性,CAS信号(读写/,虽然同是采用了在时钟的上升/.5V不同。实际上,则数据线的信噪比高:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400:
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,相对于DDR标准的2,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低、DDR333到今天的双通道DDR400技术。技术上讲,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下。
DDR2与DDR的区别,从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266。换句话说。
DDR2采用的新技术,而是在采用更低发热量。
OCD(Off-Chip Driver)。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,但是它可以并行存取,在同等核心频率下,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,还会在一定程度上影响信号品质.5V。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,DDR2可以获得更快的频率提升,它们是OCD,但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存。实际上。换句话说,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/TSOP-II封装形式;写数据,虽然DDR2和DDR一样、封装和发热量DDR2与DDR的区别
与DDR相比,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心

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其他回答

表面上来说:DDR 1代是184 PIN的 DDR 2代是240pin的

从深层次来说最大的区别是传输频率不一样 DDR 1代是 133 266 333 400的传输率
DDR 2代是 533 667 800的
理论上来说 DDR 2代比DDR 1代快
chuntaocctv | 发布于2007-01-14 11:20
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DDR第一代与第二代区别
与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
gdliubin | 发布于2007-01-14 11:09
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简单点说,双核用DDR2,单核用DDR1的,!
短时雷雨大风 | 发布于2007-01-14 11:09
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